1.

国際会議録
国際会議録
1. SIMULATION OF NON-UNIFORM GROWN-IN VOID DISTRIBUTIONS IN CZOCHRALSKI IN SILICON CRYSTAL
Dornberger, E. ; Esfandyari, J. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Dupret, F. ; von Ammon, W.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.490-502,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
2.

国際会議録
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2. Determination of Intrinsic Point Defect Properties in Silicon by Analyzing OSF-Ring Dynamics and Void Formation
Dornberger, E. ; Sinno, T. ; Esfandyari, J. ; Vanhellemont, J. ; Brown, R.A. ; von Ammon, W.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.170-187,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
3.

国際会議録
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3. Simulation of grown-in voids in Czochralski silicon crystals
Dornberger, E. ; Esfandyari, J. ; Graef, D. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; Dupret, F. ; von Ammon, W.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.40-49,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
4.

国際会議録
国際会議録
4. Recent Progress in Understanding Oxygen Precipitation in Silicon
Vanhellemont, J. ; Esfandyari, J. ; Obermeier, G. ; Dornberger, E. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Kissinger, G.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.101-124,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
5.

国際会議録
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5. Computer Simulation of Oxygen Precipitation by Considering a Temperature Dependent Interfacial Energy
Esfandyari, J. ; Vanhellemont, J. ; Obermeier, G.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.437-445,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
6.

国際会議録
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6. COMPUTER SIMULATION OF THE INFLUENCE OF POINT AND EXTENDED DEFECTS ON THE PRECIPITATION OF OXYGEN DURING RAPID THERMAL PROCESSING
Esfandyari, J. ; Senkader, S. ; Hobler, G. ; Poetzl, H. ; Murphy, B.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.896-907,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10