1.

国際会議録
国際会議録
1. Analysis of Hole Transport in Arbitrarily Strained Germanium
G. Karlowatz ; E. Ungersboeck ; H. Kosina ; W. Wessner ; S. Selberherr
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.443-450,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Low-Field Electron Mobility in Stressed UTB SOI MOSFETs for Different Substrate Orientations
E. Ungersboeck ; V. Sverdlov ; H. Kosina ; S. Selberherr
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.45-54,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)