1.

国際会議録
国際会議録
1. Does Strain Engineering Impact the Gate Stack Quality and Reliability?
C. Claeys ; E. Simoen ; F. Crupi ; G. Giusi
出版情報: ULSI process integration 5.  pp.101-114,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(6)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Analysis of the Pre-epi Bake Conditions on the Defect Creation in Recessed SiGe S/D Junctions
M.B. Gonzalez ; N. Thomas ; E. Simoen ; P. Verheyen ; A. Hikavyy
出版情報: Analytical and diagnostic techniques for semiconductor materials, devices and processes 7.  pp.47-53,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(3)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Influence of Fin Width on the Intrinsic Voltage Gain of Standard and Strained Triple-Gate nFinFETs
M.A. Pavanello ; J.A. Martino ; E. Simoen ; R. Rooyackers ; N. Collaert
出版情報: Microelectonics Technology and Devices - SBMicro 2008.  pp.253-261,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 14(1)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Influence of the Drain Bias and Gate Length of Partially Depleted SOI MOSFETs on the ZTC Biasing Point
L.M. Camillo ; J.A. Martino ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Microelectonics Technology and Devices - SBMicro 2008.  pp.243-252,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 14(1)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Origin and Suppression of Junction Leakage in Germanium-On-Silicon Structures
C. Claeys ; S. Sonde ; E. Simoen ; A. Satta ; B. De Jaeger ; G. Nicolas ; M. Meuris
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 3 : new materials, processes and equipment.  pp.31-40,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(1)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Effect of Nitridatien on 1/f Noise in n-MOSFETs with High-k Dielectric
P. Srinivasan ; E. Simoen ; L. Pantisano ; C. L. Claeys ; D. Misra ; C. Rittersma
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.681-692,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Impact of Millisecond Laser Anneal on the Thermal Stress- Induced Defect Creation in Si1-xGex Source /Drain Junctions
M.B. Gonzalez ; E. Simoen ; E. Rosseel ; P. Verheyen ; L. Souriau
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 4 : new materials, processes and equipment.  pp.23-30,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 13(1)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Impact of Ge Doping on Si Substrate and Diode Characteristics
J. Vanhellemont ; J. Lauwaert ; J. Chen ; H. Vrielinck ; J.M. Rafi ; H. Ohyama ; E. Simoen ; D. Yang
出版情報: Materials and devices for end-of-roadmap and beyond CMOS scaling : symposium held April 5-9, 2010, San Francisco, California.  pp.73-78,  2010.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1252
9.

国際会議録
国際会議録
9. High-k Gate Stack Engineering and Low Frequency Noise Performance
C. Claeys ; E. Simoen ; P. Srinivasan ; D. Misra
出版情報: Dielectrics for nanosystems II: materials science, processing, reliability, and manufacturing.  pp.287-300,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(1)
10.

国際会議録
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10. Low Temperature Operation of Undoped Body Triple-Gate FinFETs from an Analog Perspective
M. A. Pavanello ; J. A. Martino ; E. Simoen ; R. Rooyackers ; N. Collaert ; C. Claeys
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.19-28,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)