1.

国際会議録
国際会議録
1. Impact of Halo Implantation on the Lifetime Assessment in Partially Depleted SOI Transistors
M. Galeti ; J. A. Martino ; E. R. Simoen ; C. L. Claeys
出版情報: High purity silicon 9.  pp.351-360,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Brother Silicon, Sister Germanium
J. Vanhellemont ; E. R. Simoen
出版情報: High purity silicon 9.  pp.451-468,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(4)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Point-Defect Generation in Ni-, Pd-, and Pt-Germanided Schottky Bafflers on N-Type Germanium Substrates
E. R. Simoen ; K. Opsomer ; C. L. Claeys ; K. Maex ; C. Detavernier ; R. Van Meirhaeghe ; S. Forment ; P. Clauws
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 2: new materials, processes, and equipment.  pp.391-402,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(2)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Defect Engineering Considerations for Strained Silicon Substrates
C. Claeys ; G. Eneman ; M. Scholz ; R. Loo ; P. Verheyen ; K. De Meyer ; E. R. Simoen
出版情報: Silicon materials science and technology X.  pp.349-362,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(2)