1.

国際会議録
国際会議録
1. Integration of Electrochemically Deposited Cu with Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition-Grown Cu Seed Layers
L. Wu ; W. Zeng ; E. Eisenbraun
出版情報: Atomic layer deposition applications 3.  pp.67-78,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(7)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Invetigations of Ultrathin Ru-WCN Mixed Phase Films for Diffusion Barrier and Copper Direct-Plate Applications
D.V. Greenslit ; S. Kumar ; T. Chakraborty ; E. Eisenbraun
出版情報: Plasma Processing 17.  pp.63-70,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 13(8)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Development of Manufacturable Solutions for the Direct Plating of Copper on Robust ALD-Grown Barriers
S. Kumar ; D. Greenslit ; E. Eisenbraun
出版情報: Electrochemical Processing in ULSI and MEMS 3.  pp.77-88,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(8)
4.

国際会議録
国際会議録
4. ALD: Emerging Materials, Processes, and Nanoscale Technology Applications
E. Eisenbraun ; M. Carpenter ; R. Siddique ; S. Naczas ; W. Zeng ; F. Luo ; A. Kaloyeros
出版情報: Atomic layer deposition : at the 208th ECS Meeting, October 16-21, 2005, Los Angeles, California, USA.  pp.29-36,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(10)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Thermal/Chemical Stability of ALD Ru-TaN Thin Films for Gate Electrode Applications
M. Tungare ; S. Kumar ; M. Li ; E. Eisenbraun
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 2: new materials, processes, and equipment.  pp.303-310,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(2)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Low Temperature ALD MoN for Applications in Nanoscale Devices
W. Zeng ; X. Wang ; S. H. Meiere ; E. Eisenbraun
出版情報: Copper interconnects, new contact and barrier metallurgies/structures, and low-k interlevel dielectrics III : at the 208th ECS meeting, October 16-21, 2005, Los Angeles, California, USA.  pp.163-168,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(11)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Materials and Processes for High k Gate Stacks: Results from the FEP Tzansition Center
C. Osburn ; S. Campbell ; A. Demkov ; E. Eisenbraun ; E. Garfunkel ; F. Gustafsson ; A. I. Kingon ; J. Lee ; D. Lichtenwalner ; G. Lucovsky ; T. Ma ; J. Maria ; V. Misra ; R. Nemanich ; G. Parsons ; D. Schlom ; S. Stemmer ; R. M. Wallace ; J. Whitten
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.389-416,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)