1.

国際会議録
国際会議録
1. Dislocation arrangement in a thick LEO GaN film on sapphire
Dunn, K. A. ; Babcock, S. E. ; Stone, D. S. ; Matyi, R. J. ; Zhang, L. ; Kuech, T. F.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W2.11.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
2.

国際会議録
国際会議録
2. Dislocation Distribution and Subgrain Structure of GaN Films Deposited on Sapphire by HVPE and MOVPE
Dunn, K. A. ; Babcock, S. E. ; Vaudo, R. ; Phanse, V. ; Redwing, J.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.417-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482