1.

国際会議録
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1. KINETICS OF DOPANT PRECIPITATION IN SILICON
Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.711-719,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
2.

国際会議録
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2. Two Stream Model for Dopant Diffusion in Polysilicon Incorporating Effects of Grain Growth
Banerice, S. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.92-100,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
3.

国際会議録
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3. Models and Parameters for the Coupled Diffusion of Dopants and Point Defects in Silicon
Dunham, S.T. ; Wittel, F.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.27-36,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
4.

国際会議録
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4. Modeling of Transient Enhanced Diffusion Based on Evolution of {311} Defects
Gencer, A.H. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.155-163,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
5.

国際会議録
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5. ENERGETICS AND KINETICS OF EXTENDED (311) DEFFECTS IN Si
Fastenko, P. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium of Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.143-152,  1999.  Pennington, New Jersey.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-2
6.

国際会議録
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6. Modeling Interactions of Point Defects with Precipitates Using the Reduced Precipitation Model
Clejan, I. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.398-406,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
7.

国際会議録
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7. Modeling of SiO2 Stress Relaxation and Stress Dependent Oxidation
Navi, M. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.417-428,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
8.

国際会議録
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8. MODELS FOR THE PHYSICAL EXETEN OF POINT DEFECT INTER ACTIONS IN SILICON
Agarwal, A.M. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.149-158,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-6
9.

国際会議録
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9. MODELING OF PHOSPHORUS DIFFUSION IN SILICON
Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.54-65,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-6
10.

国際会議録
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10. DOPANT DIFFUSION IN POLYSILLCON
Matsuoka, M.A. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.88-97,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-6