1.

国際会議録
国際会議録
1. Kinetic Model for Arsenic Deactivation in Silicon
Dokumaci, O. ; Law, M.E.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.37-43,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
2.

国際会議録
国際会議録
2. 14 Dose loss and diffusion in BF2-implanted silicon during Rapid Thermal Annealing
Dokumaci, O. ; Ronsheim, P. ; Hegde, S. ; Cobral, C., Jr.
出版情報: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices : proceedings of the international symposium.  pp.105-110,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-14
3.

国際会議録
国際会議録
3. An Investigation of Vacancy Population During Arsenic Activation in Silicon
Dokumaci, O. ; Gossmann, H-J. ; Jones, K. S. ; Law, M. E.
出版情報: Defects in electronic materials II : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.151-,  1997.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 442
4.

国際会議録
国際会議録
4. Nitrogen Implantation and Diffusion in Silicon
Adam, L. S. ; Law, M. E. ; Dokumaci, O. ; Haddara, Y. ; Murthy, C. ; Park, H. ; Hegde, S. ; Chidambarrao, D. ; Mollis, S. ; Domenicucci, T. ; Dziobkowski, C. ; Jones, K. ; Wong, P. ; Young, R. ; Srinivasan, R.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.277-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
5.

国際会議録
国際会議録
5. Transient Enhanced Diffusion and Dose Loss of Indium in Silicon
Dokumaci, O. ; Ronsheim, P. ; D'emic, C. ; Domenicucci, A. G. ; Hegde, S. ; Kozlowski, P. ; Wong, H-S. P.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.205-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
6.

国際会議録
国際会議録
6. Effects of Arsenic Deactivation on Arsenic-Implant Induced Enhanced Diffusion in Silicon
Dokumaci, O. ; Law, M. E. ; Krishnamoorthy, V. ; Jones, K. S.
出版情報: Ion-solid interactions for materials modification and processing : symposium held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.167-,  1996.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 396
7.

国際会議録
国際会議録
7. (14.1) 10:05 - 10:25AM - Retardation of Arsenic Diffusion in Silicon-Germanium by co-Implantation
Dokumaci, O. ; Ronsheim, P. ; Mocuta, A. ; Mocuta, D. ; Kozlowski, P. ; Chidambarrao, D. ; Saunders, P. ; Chen, H. (IBM)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.893-902,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07