1.

国際会議録
国際会議録
1. REDUCTION OF MISFIT DISLOCATION DENSITY IN FINITE LATERAL SIZE Si1-XGeX FILMS GROWN BY SELECTIVE EPITAXY
Vescan, L. ; Stoica, T. ; Dieker, C. ; Luth, H.
出版情報: Silicon-based optoelectronic materials : Symposium held April 12-14, 1993, San Francisco, California, U.S.A..  pp.45-50,  1993.  Pittsburgh, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 298
2.

国際会議録
国際会議録
2. TEM/HREM Analysis of Defects in GaN Epitaxial Layers Grown by MOVPE on SiC and Sapphire
Ruvimov, S. ; Liliental-Weber, Z. ; Dieker, C. ; Washburn, J. ; Koike, M. ; Amano, H. ; Akasaki, I.
出版情報: Gallium nitride and related materials II : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.287-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 468
3.

国際会議録
国際会議録
3. FORMATION AND PROPERTIES OF POROUS Si SUPERLATTICES
Berger, M. G. ; Arens-Fischer, R. ; Frohnhoff, St. ; Dieker, C. ; Winz, K. ; Munder, H. ; Luth, H. ; Arntzen, M. ; Theiss, W.
出版情報: Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : Symposium held November 29-December 2, 1994, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.327-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 358
4.

国際会議録
国際会議録
4. FORMATION OF HETEROGENEOUS THICKNESS MODULATIONS DURING EPITAXIAL GROWTH OF LPCVD-Si1-XGeX/Si QUANTUM
Vescan, L. ; Jager, W. ; Dieker, C. ; Schmidt, K. ; Hartmann, A., ; L-th, H.
出版情報: Mechanisms of Heteroepitaxial growth : symposium held April 27-30, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.23-28,  1992.  Pittsburgh, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 263