1.

国際会議録
国際会議録
1. N. DHalleweyn, J. Benson. M. Swanenbeig, W. Redman-Whizc A New Fully-Depleted SOI MOSFET Macro-Model Valid from DC to RF
Raskin, B. Inilguez. J.P. ; Demeus, L. ; Neve, A. ; Goffioul, M. ; Simon, P. ; Vanhoenacker, D. ; Flandre, D.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.193-198,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
2.

国際会議録
国際会議録
2. Charge Injection Characterization of Thin-Film SOI MOS Transistors at High Temperature
Picun, G. ; Demeus, L. ; Flandre, D.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.115-120,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
3.

国際会議録
国際会議録
3. Low-noise SOI Hall devices
Haddab, Y. ; Mosser, V. ; Lysowec, M. ; Suski, J. ; Demeus, L. ; Renaux, C. ; Adriensen, S. ; Flandre, D.
出版情報: Noise and Information in Nanoelectronics, Sensors, and Standards.  pp.196-203,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5115