1.

国際会議録
国際会議録
1. THE BEHAVIOUR OF OXYGEN IN OXYGENATED N-TYPE HIGH-RESISTIVITY FLOAT-ZONE SILICON
Simoen, E. ; Claeys, C. ; Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Fahrner, W.R. ; Tonelli, G. ; Degryse, O. ; Clauws, P.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.912-924,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
2.

国際会議録
国際会議録
2. THE BEHAVIOUR OF OXYGEN IN OXYGENATED N-TYPE HIGH-RESISTIVITY FLOAT-ZONE SILICON
Simoen, E. ; Claeys, C. ; Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Fahrner, W.R. ; Tonelli, G. ; Degryse, O. ; Clauws, P.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.912-926,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2