1.

国際会議録
国際会議録
1. POLYHYRIDE BONDING GROUPS IN PECVD AMORPHOUS Si THIN FILMS
Davidson, B.N. ; Parsons, G.N. ; Wang, C. ; Lucovsky, G.
出版情報: Characterization of plasma-enhanced CVD processes : symposium held Novermber 27-28, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.173-180,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 165
2.

国際会議録
国際会議録
2. ENERGY DIFFERENCES BETWEEN THE Si AND THE Ge DANGLING BOND DEFECTS IN a-Si1-XGeX Alloys
Cho, S.M. ; Davidson, B.N. ; Lucovsky, G.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.583-588,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258
3.

国際会議録
国際会議録
3. EFFECT OF THE LOCAL DISORDER IN a-Si ON THE ELECTRONIC DENSITY OF STATES AT THE BAND EDGES
Davidson, B.N. ; Lucovsky, G. ; Bernholc, J.
出版情報: Amorphous silicon technology 1991 : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.581-586,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 219