1.

国際会議録
国際会議録
1. Growth and Characterization of Alternative Gate Dielectrics by Molecular-Beam Epitaxy
L.F. Edge ; W. Tian ; V. Vaithyanathan ; T. Heeg ; D. Schlom
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 6.  pp.213-227,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(5)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Elastic Anomaly in SrTiO3 Thin Films Grown on Si(001)
J. C. Woicik ; F.S. Aguirre-Tostado ; A. Herrera-Gómez ; R. Droopad ; Z. Yu ; D. Schlom ; P. Zschack ; E. Karapetrova ; P. Pianetta
出版情報: Interfaces in electronic materials : proceedings of the international symposium.  pp.17-22,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-31
3.

国際会議録
国際会議録
3. Materials and Processes for High k Gate Stacks: Results from the FEP Tzansition Center
C. Osburn ; S. Campbell ; A. Demkov ; E. Eisenbraun ; E. Garfunkel ; F. Gustafsson ; A. I. Kingon ; J. Lee ; D. Lichtenwalner ; G. Lucovsky ; T. Ma ; J. Maria ; V. Misra ; R. Nemanich ; G. Parsons ; D. Schlom ; S. Stemmer ; R. M. Wallace ; J. Whitten
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.389-416,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)