1.

国際会議録
国際会議録
1. Ge Interface Passivation Techniques and Their Thermal Stability
D. Kuzum ; T. Krishnamohan ; A. Pethe ; Y. Oshima ; Y. Sun
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.1025-1029,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Germanium for High Performance MOSFETs and Optical Interconnects
K. Saraswat ; D. Kim ; T. Krishnamohan ; D. Kuzum ; A.K. Okyay
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.3-12,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Low Temperature Boron Activation in Amorphous Germanium for Three Dimensional Integrated Circuits (3D-ICs) using Ni-induced Crystallization
J. Park ; M. Tada ; H. Yu ; D. Kuzum ; Y. Na
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.909-916,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)