1.

国際会議録
国際会議録
1. A Novel Concept for Contact Etch Residue Removal
I.J. Vos ; D. Hellin ; S. Demuynck ; O. Richard ; T. Conard
出版情報: Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 10.  pp.403-407,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(2)
2.

国際会議録
国際会議録
2. The Effect of Delay Between Dry Etch and Wet Clean Processing Steps on Cleaning of Post-Etch Residues
D. Hellin ; I.J. Vos ; G. Vereecke ; E. Pavel ; W. Boullart
出版情報: Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 10.  pp.283-290,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(2)
3.

国際会議録
国際会議録
3. How Trace Analytical Techniques Contribute to the Research and Development of Ge and III/V Semiconductor Devices
D. Hellin ; J. Rip ; R. Bonzom ; D. Nelis ; S. Sioncke
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.173-181,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)