1.

国際会議録
国際会議録
1. Nucleation and Movement of Dislocations during Relaxation of He Implanted SixGe1-x/Six Heterostructures
M. Luysberg ; N. Hueging ; D. Buca ; H. Trinkaus ; S. Mantl
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.1039-1046,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
2.

国際会議録
国際会議録
2. From Thin Relaxed SiGe Buffer Layers to Strained Silicon Directly on Oxide
S. Mantl ; D. Buca ; B. Holländer ; S. Lenk ; N. Hueging
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.1047-1055,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Strained Silicon-On-Insulator - Fabrication and Characterization
M. Reiche ; C. Himcinschi ; U. Gösele ; S. Christiansen ; S. Mantl ; D. Buca ; Q. Zhao ; S. Feste ; R. Loo ; D. Nguyen ; W. Buchholtz ; A. Wei ; M. Horstmann ; D. Feijoo ; P. Storck
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.339-344,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)