1.
国際会議録 |
1. The Effect of External Strain on the Conductivity of AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kang, B.S. ; Kim, S. ; Kim, J. ; Ren, F. ; Baik, K. ; Pearton, S.J. ; Gila, B.P. ; Abernathy, C.R. ; Pan, C.-C. ; Chen, G.-T. ; Chyi, J.-I. ; Chandrasekaran, V. ; Sheplak, M. ; Nishida, T. ; Chu, S.N.G.
|
|||||||
2.
国際会議録 |
Irokawa, Y. ; Luo, B. ; Kim, Jihyun ; Kang, B.S. ; LaRoche, J.R. ; Ren, F ; Pan, C.-C. ; Chen, G.T. ; Chyi, J.-I. ; Park, S.S. ; Park, Y.J. ; Gila, B.P. ; Abernathy, C.R. ; Balk, K.H. ; Pearton, S.J.
|
|||||||
3.
国際会議録 |
Pearton, S.J. ; Ren, F. ; Zhang, A.P. ; Dang, G. ; Cac, X.A. ; Lee, K.P. ; Cho, H. ; Gila, B.P. ; Johnson, J.W. ; Monier, C. ; Abernathy, C.R. ; Han, J. ; Baca, A.G. ; Chyi, J.-I. ; Lee, C.-M. ; Nee, T.-E. ; Chuo, C.-C. ; Chi, G.C. ; Chu, S.N.G.
|
|||||||
4.
国際会議録 |
Wu, L.-H.Peng.H.-M. ; Chuo, C.-C. ; Chyi, J.-I.
|
|||||||
5.
国際会議録 |
Feng, S.-W. ; Cheng, Y.-C. ; Chung, Y.-Y. ; Liu, C.W. ; Mao, M.-H. ; Yang, C.-C. ; Lin, Y.-S. ; Ma, K.-J. ; Chyi, J.-I.
|
|||||||
6.
国際会議録 |
Jiang, L. ; Li, S.S. ; Yeh, N.-T. ; Chyi, J.-I.
|
|||||||
7.
国際会議録 |
Zhang, A.P. ; Cao, X.A. ; Dang, G. ; Ren, F. ; Han, J. ; Chyi, J.-I. ; Lee, C.-M. ; Chuo, C.-C. ; Nee, T.E.
|
|||||||
8.
国際会議録 |
Pearton, Stephen J. ; Cao, X.A. ; Cho, H. ; Lee, K.P. ; Monier, C. ; Ren, F. ; Dang, G. ; Zhang, A.P. ; Johnson, W. ; LaRoche, J.R. ; Gila, B.P. ; Abernathy, C.R. ; Shul, R.J. ; Baca, A.G. ; Han, J. ; Chyi, J.-I. ; Van Hove, J.M.
|
|||||||
9.
国際会議録 |
Lin, K.-H. ; Hsieh, C.-L. ; Yu, C.-T. ; Pan, C.-C. ; Chyi, J.-I. ; Keller, S. ; DenBaars, S.P. ; Sun, C.-K.
|
|||||||
10.
国際会議録 |
Cheng, Y.-C. ; Tseng, C.-H. ; Hsu, C. ; Ma, K.-J. ; Feng, S.-W. ; Lin, E.-C. ; Yang, C.C. ; Chyi, J.-I.
|