1.

国際会議録
国際会議録
1. HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-NITROGEN, a-Si,N:H ALLOYS: AN ALTERNATIVE TO a-Si,C:H FOR THE WIDE BAND GAP PHOTO-ACTIVE MATERIAL IN TANDEM PV CELLS
Williams, M.J. ; Cho, S.M. ; Lucovsky, G.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1993 : Symposium held April 13-16, San Francisco, California, U.S.A..  pp.759-766,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 297
2.

国際会議録
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2. ENERGY DIFFERENCES BETWEEN THE Si AND THE Ge DANGLING BOND DEFECTS IN a-Si1-XGeX Alloys
Cho, S.M. ; Davidson, B.N. ; Lucovsky, G.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.583-588,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258
3.

国際会議録
国際会議録
3. The Control of Topographical Selectivity in Pd-Activated Electroless Copper Deposition
Oh, Y.-J. ; Cho, S.M. ; Chung, C.-H.
出版情報: Thin film materials, processes, and reliability : proceedings of the international symposium.  pp.95-103,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-24
4.

国際会議録
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4. Atomic Layer Etching of Si(100) for Reducing Etching Damage
Kim, B.J. ; Chung, S.H. ; Cho, S.M.
出版情報: Thin film materials, processes, and reliability : proceedings of the international symposium.  pp.54-62,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-24