1.

国際会議録
国際会議録
1. Predictive Model for B Diffusion in Strained SiGe Based on Atomistic Calculations
Chihak Ahn ; Jakyoung Song ; Scott T. Dunham
出版情報: Transistor scaling--methods, materials and modeling : symposium held April 18-19, 2006, San Francisco, California, U.S.A..  pp.179-184,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 913
2.

国際会議録
国際会議録
2. Stress Effects on As Activation in Si
Chihak Ahn ; Scott T. Dunham
出版情報: Semiconductor defect engineering--materials, synthetic structures and devices II : symposium held April 9-13, 2007, San Francisco, California, U.S.A..  pp.275-280,  2007.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 994
3.

国際会議録
国際会議録
3. Atomistic Modeling of {311} Defects and Dislocation Ribbons
Bart Trzynadlowski ; Scott Dunham ; Chihak Ahn
出版情報: Doping engineering for front-end processing : symposium held March 25-27, 2008, San Francisco, California, U.S.A..  pp.255-260,  2008.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1070
4.

国際会議録
国際会議録
4. Modeling of Effect of Stress on C Diffusion/Clustering in Si
Hsiu-Wu Guo ; Chihak Ahn ; Scott T. Dunham
出版情報: Doping engineering for front-end processing : symposium held March 25-27, 2008, San Francisco, California, U.S.A..  pp.129-134,  2008.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1070