1.

国際会議録
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1. Growth and Characterization of Large Diameter 6H and 4H SiC Single Crystals
Gupta, A. ; Semenas, E. ; Emorhokpor, E. ; Chen, I. ; Zwieback, I. ; Souzis, A.E. ; Anderson, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.43-46,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
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2. PLANAR AND PERPENDICULAR CONDUCTIVITY OF DOPING MODULATED AMORPHOUS SILICON MULTILAYERS
Steemers, H. ; Chen, I. ; Mort, J. ; Jansen, F. ; Morgan, M. ; Machonkin, M. ; Kuhman, D.
出版情報: Materials issues in amorphous-semiconductor technology : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.727-732,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 70
3.

国際会議録
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3. Resistance to Coking of Nickel-Alumina Catalysts
Chen, I. ; Chen, F.
出版情報: Catalyst deactivation, 1991 : proceedings of the 5th international symposium, Evanston IL, June 24-26, 1991.  pp.253-,  1991.  Amsterdam.  Elsevier
シリーズ名: Studies in surface science and catalysis
シリーズ巻号: 68
4.

国際会議録
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4. INTEGRATION ISSUES OF POLYSILICON WITH HIGH K DIELECTRICS DEPOSITED BY ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Tsai, W. ; Chen, I. ; Carter, R. ; Cartier, E. ; Kluth, J. ; Richard, O. ; Claes, M. ; Lin, Y.M. ; Nohira, H. ; Conard, T. ; Caymax, M. ; Young, E. ; Vandervorst, W. ; DeGendt, S. ; Heyns, M. ; Manabe, Y. ; Maes, J.W. ; Rittersma, Z.M. ; Besling, W. ; Roozeboom, F.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.747-760,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
5.

国際会議録
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5. Compatibility of Polysilicon with HfO2-based Gate Dielectrics for CMOS Applications
Kaushik, V. ; De Gendt, S. ; Caymax, M. ; Young, E. ; Rohr, E. ; Van Elshocht, S. ; Delabie, A. ; Claes, M. ; Shi, X. ; Chen, I. ; Carter, R. ; Conard, T. ; Vandervorst, W. ; Schaekers, M. ; Heyns, M.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.391-396,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-6
6.

国際会議録
国際会議録
6. TRANSPORT PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON/SILICON OXIDE HETEROSTRUCTURES
Steemers, H. ; Mort, J. ; Chen, I. ; Jansen, F. ; Grammatica, S. ; Kuhman, D.
出版情報: Materials issues in amorphous-semiconductor technology : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.393-398,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 70
7.

国際会議録
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7. INTEGRATION ISSUES OF POLYSILICON WITH HIGH K DIELECTRICS DEPOSITED BY ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Tsai, W. ; Chen, I. ; Carter, R. ; Cartier, E. ; Kluth, J. ; Richard, O. ; Claes, M. ; Lin, Y.M. ; Nohira, H. ; Conard, T. ; Caymax, M. ; Young, E. ; Vandervorst, W. ; DeGendt, S. ; Heyns, M. ; Manabe, Y. ; Maes, J.W. ; Rittersma, Z.M. ; Besling, W. ; Roozeboom, F.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.747-760,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
8.

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8. Three Dimensional PDMA Assembly Method and Its Application
Liu, C. ; Chen, I. ; Zou, I. ; Fan, Z.
出版情報: Magnetic materials, processes, and devices VII and electrodeposition of alloys : proceedings of the International Symposium.  pp.214-228,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-27
9.

国際会議録
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9. Failure of chloro-s-triazine-derived compounds to induce estrogenic responses in vivo and in vitro
Connor, K. ; Howell, J. ; Safe, S. ; Chen, I. ; Liu, H. ; Berhane, K. ; Sciarretta, C. ; Zacharewski, T.
出版情報: Triazine herbicides : risk assessment.  pp.424-431,  1998.  Washington, DC.  American Chemical Society
シリーズ名: ACS symposium series
シリーズ巻号: 683