1.

国際会議録
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1. Silicon Nanoparticle Synthesis Using Constricted Mode Capacitive Silane Plasma
Bapat, A. ; Dong, Ying ; Perrey, C.R. ; Carter, C.B. ; Campbell, S.A. ; Kortshagen, U.
出版情報: Nanoparticles and nanowire buildings blocks--synthesis, processing, characterization and theory : symposium held April 13-16, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.405-410,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 818
2.

国際会議録
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2. Integration Issues with High k Gate Stacks*
Osburn, C.M. ; Han, S.K. ; Kim, I. ; Campbell, S.A. ; Garfunkel, E. ; Gustafson, T. ; Hauser, J. ; King, T.-J. ; Liu, Q. ; Ranade, P. ; Kingon, A. ; Kwong, D.-L. ; Lee, S.J. ; Lee, C.H. ; Lee, J. ; Onishi, K. ; Kang, C.S. ; Choi, R. ; Cho, H. ; Nich, R. ; Lucovsky, G. ; Hong, J.G. ; Ma, T.P. ; Zhu, W. ; Luo, Z. ; Maria, J.P. ; Wicaksana, D. ; Misra, V. ; Lee, J.J. ; Suh, Y.S. ; Parksons, G. ; Niu, D. ; Stemmer, S.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.375-390,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-6
3.

国際会議録
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3. An Ozone-Water-Last Cleaning Process and the Effects on Gate Oxide Quality
Nelson, S.L. ; Campbell, S.A. ; Schwab, B.D.
出版情報: The physics and chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] interface-3, 1996 : proceedings of the Third International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] Interface.  pp.367-378,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-1
4.

国際会議録
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4. High Permittivity Oxide Gate Stacks on Silicon Incorporating UHV Silicon Nitride Interfacial Layers
Shriver, Mark A. ; Gabrys, Ann M. ; Higman, T.K. ; Campbell, S.A.
出版情報: Gate stack and silicide issues in silicon processing II : symposium held April 17-19, 2001, San Francisco, California, U.S.A..  2002.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 670
5.

国際会議録
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5. Particle Production in High Density Silane Plasma
Shen, Z. ; Kim, T. ; Kortshagen, U. ; McMurry, P.H. ; Campbell, S.A.
出版情報: Quantum confined semiconductor nanostructures : symposium held December 2-5, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.721-1452,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 737
6.

国際会議録
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6. Point Defects and Traps in Stacks of Ultrathin High-k Metal Oxides on Si Probed by Electron Spin Resonance: Si/HfO2 System and N Incorporation
Stesmans, A. ; Afanas'ev, V. ; Clemer, K. ; Chen, F. ; Campbell, S.A.
出版情報: Silicon nitride, silicon dioxide thin insulating films, and other emerging dieletrics VIII : proceedings of the international symposium.  pp.403-416,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-01
7.

国際会議録
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7. Properties of High-k and Extremely Thin Silicon Nitride Stacks
Zhang, Z. ; Fedorenko, Y. ; Truong, L. ; Shi, X. ; Afanas'ev, V. ; Stesmans, A. ; Campbell, S.A.
出版情報: Silicon nitride, silicon dioxide thin insulating films, and other emerging dieletrics VIII : proceedings of the international symposium.  pp.375-388,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-01
8.

国際会議録
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8. Effect of HfO2 Deposition on Interfacial Layer Thickness and Roughness
Chen, F. ; Smith, R. ; Campbell, S.A. ; Gladfelrer, W.L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies III : proceedings of the international symposium.  pp.207-214,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-11
9.

国際会議録
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9. Effects of Impurities in Hafnium Dioxide
Xia, B. ; Stesmans, A. ; Chen, F. ; Zhang, Z. ; Gladfelter, W.L. ; Campbell, S.A.
出版情報: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices : proceedings of the international symposium.  pp.304-312,  2004.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-01
10.

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10. Electronic Properties of SiON/HfO2 Insulating Stacks on 4H-SiC (0001)
Afanas'ev, V.V. ; Campbell, S.A. ; Cheong, K.Y. ; Ciobanu, F. ; Dimitrijev, S. ; Pensl, G. ; Stesmans, A. ; Zhong, L.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1361-1364,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460