1.

国際会議録
国際会議録
1. Impact of Halo Implantation on the Lifetime Assessment in Partially Depleted SOI Transistors
M. Galeti ; J. A. Martino ; E. R. Simoen ; C. L. Claeys
出版情報: High purity silicon 9.  pp.351-360,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Effect of Nitridatien on 1/f Noise in n-MOSFETs with High-k Dielectric
P. Srinivasan ; E. Simoen ; L. Pantisano ; C. L. Claeys ; D. Misra ; C. Rittersma
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.681-692,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Point-Defect Generation in Ni-, Pd-, and Pt-Germanided Schottky Bafflers on N-Type Germanium Substrates
E. R. Simoen ; K. Opsomer ; C. L. Claeys ; K. Maex ; C. Detavernier ; R. Van Meirhaeghe ; S. Forment ; P. Clauws
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 2: new materials, processes, and equipment.  pp.391-402,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(2)