1.

国際会議録
国際会議録
1. Ti Source Precursors for Atomic Layer Deposition of TiO2, STO and BST
R. Katamreddy ; V. Omarjee ; B. Feist ; C. Dussarrat
出版情報: Atomic layer deposition applications 4.  pp.113-122,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Tuning of Material and Electrical Properties of Strontium Titanates using Process Chemistry and Composition
R. Katamreddy ; V. Omarjee ; B. Feist ; C. Dussarrat ; M. Singh
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 6.  pp.487-496,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Extra Low-Temperature SiO2 Deposition Using Aminosilanes
I. Suzuki ; C. Dussarrat ; K. Yanagita
出版情報: Atomic layer deposition applications 2.  pp.119-128,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(15)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Tantalum-Based Material
K. Tanagita ; C. Dussarrat ; L. Beyssac
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 2: new materials, processes, and equipment.  pp.289-296,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(2)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Evaluation of Trisilylamine for HfSiO x Atomic Layer Deposition
C. Dussarrat ; I. Suzuki ; K. Yanagita
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.441-448,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)