1.

国際会議録
国際会議録
1. Acceptor-hydrogen interaction in InAs
Burchard,A. ; Correia,J.G. ; Deicher,M. ; Forkel-Wirth,D. ; Magerle,R. ; Prospero,A. ; Stotzler,A.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1223-1228,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
2.

国際会議録
国際会議録
2. Radioactive Isotopes in Photoluminescence Experiments:Identification of Defect Levels
Magerle,R. ; Burchard,A. ; Kerle,T. ; Pfeiffer,W. ; Deicher,M.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.1503-1508,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201
3.

国際会議録
国際会議録
3. Implantation doping and hydrogen passivation of GaN
Burchard,A. ; Deicher,M. ; Forkel-Wirth,D. ; HaLller,E.E. ; Magerle,R. ; Prospero,A. ; Stotzler,A.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1099-1104,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
4.

国際会議録
国際会議録
4. Creation of GaAs antisites in GaAs by transmutation of radioactive 71AsAs to stable 71GaAs
Magerle,R. ; Burchard,A. ; Forkel-Wirth,D. ; Deicher,M.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.945-950,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
5.

国際会議録
国際会議録
5. The role of caiion vacancy in compensation of II-VI compounds by fast diffusors-example of Cu in CdS
Desnica,U.V. ; Desnica-Frankovic,I.D. ; Magerle,R. ; Burchard,A. ; Deicher,M.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part3  pp.1347-1352,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
6.

国際会議録
国際会議録
6. Doping of ZnSe,ZnTe and CdTe with Group V Elements
Wolf,H. ; Burchard,A. ; Deicher,M. ; Filz,T. ; Jost,A. ; Lauer,St. ; Magerle,R. ; Ostheimer,V. ; Pfeiffer,W. ; Wichert,Th.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.309-314,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201
7.

国際会議録
国際会議録
7. Study of Indium Implanted GaAs:Positron Annihilation and Electrical Measurements
Pfeiffer,W. ; Liszkay,L. ; Burchard,A. ; Deicher,M. ; Magerle,R. ; Ronning,C. ; Saarinen,K. ; Hautojarvi,P.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.305-310,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
8.

国際会議録
国際会議録
8. Acceptor-Hydrogen Interaction in Ternary III-V Semiconductors
Burchard,A. ; Deicher,M. ; Forkel-Wirth,D. ; Freidinger,J. ; Kerle,T. ; Magerle,R. ; Pfeiffer,W. ; Prost,W. ; Wellmann,P. ; Winnacker,A.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.987-991,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201
9.

国際会議録
国際会議録
9. Acceptor-Hydrogen Complexes in InAs
Forkel-Wirth,D. ; Achtziger,N. ; Burchard,A. ; Correia,J.C. ; Deicher,M. ; Grillenberger,J. ; Gottschalck,H. ; Licht,T. ; Magerle,R. ; Reisldhner,U. ; Rub,M. ; Toulemonde,M. ; Witthuhn,W.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.963-968,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201