1.

国際会議録
国際会議録
1. Development and Demonstration of High-Power X-Band SiC MESFETs
Chang, H.R. ; Hanna, E. ; Hacker, J. ; Hackett, R. ; Bui, C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1367-1370,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
2.

国際会議録
国際会議録
2. A 600 V SiC Trench JFET
Gupta, R.N. ; Chang, H.R. ; Hanna, E. ; Bui, C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1219-1222,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
3.

国際会議録
国際会議録
3. Development and Demonstration of High-Power X-Band SiC MESFETs
Chang, H.R. ; Hanna, E. ; Hacker, J. ; Hackett, R. ; Bui, C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1367-1370,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
4.

国際会議録
国際会議録
4. A 600 V SiC Trench JFET
Gupta, R.N. ; Chang, H.R. ; Hanna, E. ; Bui, C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1219-1222,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393