1.

国際会議録
国際会議録
1. CREATION OF INTERFACE STATES AT THE SILICON/SILICON DIOXIDE INTERFACE BY UV LIGHT WITHOUT HOLE TRAPPING
Schubert, W. K. ; Seager,. C. H. ; Brower, K. L.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.415-420,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
2.

国際会議録
国際会議録
2. DANGLING BONDS AND SUB-GAP OPTICAL ABSORPTION IN SILICON
Seager, C. H. ; Lenahan, P. M. ; Brower, K. L. ; Mikawa, R. E.
出版情報: Microscopic identification of electronic defects in semiconductors : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.539-544,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 46