1.

国際会議録
国際会議録
1. Influence of the Irradiation Temperature on the Formation of Defects in Reactor Pressure-Vessel Steels
Grosse, M. ; Hempel, A. ; Bohmert, J. ; Brauer, G. ; Haggag, F. M.
出版情報: Microstructure evolution during irradiation : symposium held December 2-5, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.515-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 439
2.

国際会議録
国際会議録
2. Aluminum and Electron-Irradiation-Induced Deep Levels in n-Type and p-Type 6H-SiC
Gong, M. ; Beling, C. D. ; Fung, S. ; Brauer, G. ; Wirth, H. ; Skorupa, W. ; You, Z-P.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.455-,  1998.  Warrendale, Pa.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 510
3.

国際会議録
国際会議録
3. Positron Studies of Defects in Nitrogen and Carbon Implanted Titanium
Soltani-Farshi, M. ; Baumann, H. ; Anwand, W. ; Brauer, G. ; Coleman, P. G. ; Richter, E. ; Kreissig, U. ; Bethge, K.
出版情報: Diffusion mechanisms in crystalline materials : symposium held April 13-16, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.81-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 527
4.

国際会議録
国際会議録
4. Deep Level Defects in He-Implanted n-6H-SiC Studied by Deep Level Transient Spectroscopy
Chen, X.D. ; Ling, C.C. ; Fung, S. ; Beling, C.D. ; Wu, H.S. ; Brauer, G. ; Anwand, W. ; Skorupa, W.
出版情報: Silicon carbide 2004--materials, processing and devices : symposium held April 14-15, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.163-168,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 815
5.

国際会議録
国際会議録
5. High Concentration Doping of 6H-SiC by Ion Implantation: Flash versus Furnace Annealing
Panknin, D. ; Wirth, H. ; Anwand, W. ; Brauer, G. ; Skorupa, W.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.877-880,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Slow Positron Beam Investigations of Defects Caused by B+ Implantation into Epitaxial 6H-SiC
Anwand, W. ; Brauer, G. ; Kuriplach, J. ; Skorupa, W.
出版情報: Positron annihilation ICPA-13 : proceedings of the 13th International Conference on Positron Annihilation, Kyoto, Japan, September 2003.  pp.36-38,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 445-446
7.

国際会議録
国際会議録
7. Ion Implantation Induced Defects in 6H-SiC and their Annealing Behaviour
Anwand, W. ; Brauer, G. ; Panknin, D. ; Skorupa, W.
出版情報: Positron annihilation, ICPA-12 : Proceedings of the 12th International Conference on Positron Annihilation, August 6-12, 2000, München, Germany.  pp.442-444,  2001.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 363-365
8.

国際会議録
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8. Positron Annihilation Lifetime Study of Pure and Doped LiF
Sendezera, E.J. ; Davidson, A.T. ; Anwand, W. ; Brauer, G. ; Nicht, E.-M.
出版情報: Positron annihilation, ICPA-12 : Proceedings of the 12th International Conference on Positron Annihilation, August 6-12, 2000, München, Germany.  pp.386-388,  2001.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 363-365
9.

国際会議録
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9. GaN Thin Films on SiC Substrates Studied Using Variable Energy Positron Annihilation Spectroscopy
Hu, Y.F. ; Shan, Y.Y. ; Beling, C.D. ; Fung, S. ; Xie, M.H. ; Cheung, S.H. ; Tu, J. ; Brauer, G. ; Anwand, W. ; Tong, D.S.Y.
出版情報: Positron annihilation, ICPA-12 : Proceedings of the 12th International Conference on Positron Annihilation, August 6-12, 2000, München, Germany.  pp.478-480,  2001.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 363-365
10.

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10. Depth-Dependence Recovery of Helium-Implanted 18 Carats Gold-Silver Alloy
Thome, T. ; Fradin, J. ; Grynszpan, R.I. ; Anwand, W. ; Brauer, G.
出版情報: Positron annihilation, ICPA-12 : Proceedings of the 12th International Conference on Positron Annihilation, August 6-12, 2000, München, Germany.  pp.484-486,  2001.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 363-365