1.

国際会議録
国際会議録
1. 4H-SiC Power Devices: Comparative Overview of UMOS, DMOS, and GTO Device Structures
Casady, J. B. ; Agarwal, A. K. ; Rowland, L. B. ; Seshadri, S. ; Siergiej, R. R. ; Mani, S. S. ; Sheridan, D. C. ; Sanger, P. A. ; Brandt, C. D.
出版情報: Power semiconductor materials and devices : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.27-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 483
2.

国際会議録
国際会議録
2. Critical Materials, Device Design, Performance and Reliability Issues in 4H-SiC Power UMOSFET Structures
Agarwal, A. K. ; Siergiej, R. R. ; Seshadri, S. ; White, M. H. ; McMullin, P. G. ; Burk, A. A. ; Rowland, L. B. ; Brandt, C. D. ; Hopkins, R. H.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.87-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423