1.

国際会議録
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1. Energy levels associated with the metastable state of EL2
Stievenard,D. ; Delerue,C. ; Bremond,G. ; Guillot,G. ; Azoulay,R. ; Bardeleben,H.J.von ; Bourgoin,J.C. ; Portal,J.C. ; Ranz,E.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.2  pp.911-916,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
2.

国際会議録
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2. Fast Neutron Irradiation Induced Defects in High Purity Germanium
Fourches,N. ; Huck,A. ; Walter,G. ; Bourgoin,J.C.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part3  pp.1233-1238,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41
3.

国際会議録
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3. Recombination centers in electron irradiated Si and GaAs
Bourgoin,J.C. ; Zazoui,M. ; Zaidi,M.A.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part1  pp.629-634,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
4.

国際会議録
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4. Defects in Electron Irradiated GaP and GaInP
Zaidi,M.A. ; Maaref,H. ; Zazoui,M. ; Bourgoin,J.C.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.295-298,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
5.

国際会議録
国際会議録
5. Detection and identification of the EL2 metastable state in GaAs
Bourgoin,J.C.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.993-996,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
6.

国際会議録
国際会議録
6. Defects in thick epitaxial GaAs layers
Samic,H. ; Bourgoin,J.C.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.997-1002,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
7.

国際会議録
国際会議録
7. Electrical properties of low temperature grown GaAs
Stellmacher,M. ; Nagle,J. ; Khirouni,K. ; Bourgoin,J.C.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.929-932,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
8.

国際会議録
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8. Detection Of Defects Responsible for Lifetime in p-Type Si
Zazoui,M. ; Bourgoin,J.C. ; Stievenard,D. ; Deresmes,D.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.189-194,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
9.

国際会議録
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9. Defect Induced Electron Transport through Semiconductor Barriers
Bourgoin,J.C. ; Mir,L.El
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.437-442,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201
10.

国際会議録
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10. The EL2 Defect and the Isolated Arsenic Antisite Defect in GaAs
Bardeleben,H.J.von ; Bourgoin,J.C. ; Stievenard,D.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part1  pp.97-100,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41