1.

国際会議録
国際会議録
1. TEM STUDIES OF ORDERING IN MOCVD-GROWN (GaIn)P ON GaAs
McKernan, S. ; De Cooman, B. C. ; Carter, C. B. ; Bour, D. P. ; Shealy, J. R.
出版情報: Defects in electronic materials : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.637-640,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 104
2.

国際会議録
国際会議録
2. OMVPE GROWTH OF MATERIALS FOR RED LASER DIODES
Bour, D. P. ; Treat, D. W. ; Bringans, R. D. ; Geels, R. S. ; Welch, D. F.
出版情報: Growth, processing, and characterization of semiconductor heterostructures : Symposium held November 29-December 2, 1993, Massachusetts, U.S.A..  pp.45-,  1994.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 326
3.

国際会議録
国際会議録
3. Spectroscopic Identification of the Acceptor-Hydrogen Complex in Mg-Doped GaN Grown by MOCVD
Gotz, W. ; McCluskey, M. D. ; Johnson, N. M. ; Bour, D. P. ; Haller, E. E.
出版情報: Gallium nitride and related materials II : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.117-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 468
4.

国際会議録
国際会議録
4. Characterization of OMVPE-Grown AlGaInN Heterostructures
Bour, D. P. ; Chung, H. F. ; Gotz, W. ; Romano, L. ; Krusor, B. S. ; Hofstetter, D. ; Rudaz, S. ; Kuo, C. P. ; Ponce, F. A. ; Johnson, N. M. ; Craford, M. G. ; Bringans, R. D.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.509-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
5.

国際会議録
国際会議録
5. Double Modulation and Selective Excitation Photoreflectance for Characterizing Highly Luminescent Semiconductor Structures and Samples with Poor Surface Morphology
Amirtharaj, P. M. ; Chandler-Horowitz, D. ; Bour, D. P.
出版情報: Diagnostic techniques for semiconductor materials processing II : symposium held November 27-30, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.229-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 406
6.

国際会議録
国際会議録
6. Pressure Dependence of Optical Transitions in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
Shan, W. ; Ager, J. W., III. ; Walukiewicz, W. ; Haller, E. E. ; McCluskey, M. D. ; Johnson, N. M. ; Bour, D. P.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.15.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
7.

国際会議録
国際会議録
7. Disordering of InGaN/GaN Superlattices After High-Pressure Annealing
McCluskey, M. D. ; Romano, L. T. ; Krusor, B. S. ; Hofstetter, D. ; Bour, D. P. ; Kneissl, M. ; Johnson, N. M. ; Suski, T. ; Jun, J.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.42.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
8.

国際会議録
国際会議録
8. Characterization of InGaN/GaN-Based Multi-Quantum Well Distributed Feedback Lasers
Hofstetter, D. ; Thornton, R. L. ; Romano, L. T. ; Bour, D. P. ; Kneissl, M. ; Donaldson, R. M. ; Dunnrowicz, C.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G2.2.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
9.

国際会議録
国際会議録
9. Structural Characterization of Thick GaN Films Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Romano, L. T. ; Molnar, R. J. ; Krusor, B. S. ; Anderson, G. A. ; Bour, D. P. ; Maki, P.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.245-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
10.

国際会議録
国際会議録
10. Activation of Acceptors in Mg-Doped, p-Type GaN
Gotz, W. ; Johnson, N. M. ; Walker, J. ; Bour, D. P.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.595-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423