1.

国際会議録
国際会議録
1. TEM Structure Characterization of Ti/Al and Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts for n-GaN
Ruvimov, S. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Duxstad, K. J. ; Haller, E. E. ; Fan, Z.-F. ; Mohammad, S. N. ; Kim, W. ; Botchkarev, A. E. ; Morkoc, H.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.201-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
2.

国際会議録
国際会議録
2. Microstructures of AlN Buffer Layers for the Growth of GaN on (0001) Al2O3
Yeadon, M. ; Kim, W. ; Botchkarev, A. E. ; Mohammad, S. N. ; Morkoc, H. ; Gibson, J. M.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.239-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449