1.

国際会議録
国際会議録
1. Ion Implanted p+/n Diodes: Post-Implantation Annealing in a Silane Ambient in a Cold-Wall Low-Pressure CVD Reactor
Bergamini, F. ; Rao, S.P. ; Poggi, A. ; Tamarri, F. ; Saddow, S.E. ; Nipoti, R.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.819-822,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Post-Implantation Annealing in a Silane Ambient Using Hot-Wall CVD
Rao, S.P. ; Bergamini, F. ; Nipoti, R. ; Hoff, A.M. ; Oborina, E. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.839-842,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Current Analysis of Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: Post-Implantation Annealing in Ar Ambient
Nipoti, R. ; Bergamini, F. ; Moscatelli, F. ; Poggi, A. ; Canino, M. ; Bertuccio, G.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.815-818,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Ar Annealing at 1600℃ and 1650℃ of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V Characteristics Versus Annealing Temperature
Bergamini, F. ; Moscatelli, F. ; Canino, M. ; Poggi, A. ; Nipoti, R.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.625-628,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
5.

国際会議録
国際会議録
5. A Robust Process for Ion Implant Annealing of SiC in a Low-Pressure Silane Ambient
Rao, S. ; Saddow, S.E. ; Bergamini, F. ; Nipoti, R. ; Emirov, Y. ; Agrawal, Anant
出版情報: Silicon carbide 2004--materials, processing and devices : symposium held April 14-15, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.229-234,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 815
6.

国際会議録
国際会議録
6. J-V Characteristics of Al+ Ion Implanted p+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600℃
Bergamini, F. ; Rao, S. P. ; Saddow, S. E. ; Nipoti, R.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.629-632,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485