1.

国際会議録
国際会議録
1. DEGRADATION OF TiSi2/n+-POLYSILICON INTERFACES DUE TO HIGH TEMPERATURE PROCESSING
Shenai, K. ; Piacente, P. A. ; Smith, G. A. ; Lewis, N. ; McConnell, M . D. ; Norton, J. F. ; Hall, E. L. ; Baliga, B. J.
出版情報: Polysilicon films and interfaces : symposium held December 1-3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.149-154,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 106
2.

国際会議録
国際会議録
2. PROCESS-INDUCED DEFECTS IN HIGH-PURITY GaAs
Campbell, P M ; Aina, O. ; Baliga, B. J. ; Ehle, R.
出版情報: Defects in semiconductors II : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.283-288,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 14
3.

国際会議録
国際会議録
3. ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF TiSi2/n+-POLYSILICON/ Si02/Si MOS CAPACITORS STRESSED UNDER HIGH TEMPERATURE SILICIDE PROCESSING CONDITIONS
Shenai, K. ; Piacente, P. A. ; Baliga, B. J.
出版情報: SiO[2] and its interfaces : symposium held November 30-December 5, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.295-300,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 105
4.

国際会議録
国際会議録
4. High voltage P-N junction diodes in silicon carbide using field plate edge termination
Chilukuri, R. K. ; Ananthanarayanan, P. ; Nagapudi, V. ; Baliga, B. J.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.81-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572