1.

国際会議録
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1. Hot-carrier-induced degradation and lifetime prediction in off-state operation of deep submicron SOI n-MOSFETs
Renn, S.H. ; Pelloie, J.L. ; Balestra, F.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.283-288,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
2.

国際会議録
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2. Threshold voltage quantum simulations for ultra-thin silicon-on-insulator transistors
Lolivier, J. ; Deleonibus, S. ; Balestra, F.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.379-382,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
3.

国際会議録
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3. Impact of the Floating Body Induced Parasitic Bipolar Transistor on Hot-Carrier Effects in 0.1 μm N-Channel SOI MOSFETs
Renn, S.H. ; Pauly, E. ; Pelloie, J.L. ; Balestra, F.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.199-206,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
4.

国際会議録
国際会議録
4. Influence of the Substrate Bias on the Transconductance of Deep Submicron NMOSFETs
Szelag, B. ; Pangon, N. ; Balestra, F.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.140-146,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
5.

国際会議録
国際会議録
5. Comparison Between the Cryogenic Behaviour of Deep Submicron Bulk Si and SOI CMOS Devices
Balestra, F. ; Ghibaudo, G.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.171-186,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
6.

国際会議録
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6. Short channel effects in sub 0.1 μm SOI-MOSFETs
Rauly, E. ; Balestra, F.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.227-232,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
7.

国際会議録
国際会議録
7. An overview of low-frequency noise in advanced CMOS/SOI transistors (Invited Paper)
Jomaah, J. ; Balestra, F.
出版情報: Noise in Devices and Circuits.  pp.159-167,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5113
8.

国際会議録
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8. Performance and reliability of deep submicron SOI MOSFETs in a wide temperature range
Balestra, F.
出版情報: Progress in SOI structures and devices operating at extreme conditions.  pp.105-128,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 58
9.

国際会議録
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9. Defect creation mechanisms due to hot-carriers in 0.15 μm SIMOX MOSFETs
Dimitrakis, P. ; Jomaah, J. ; Balestra, F. ; Papaioannou, G.J.
出版情報: Progress in SOI structures and devices operating at extreme conditions.  pp.263-268,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 58
10.

国際会議録
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10. Analysis and modeling of self-heating effects in thin-film SOI MOSFET's as a function of temperature
Jomaah, J. ; Balestra, F. ; Ghibaudo, G.
出版情報: Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.296-303,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-11