1.

国際会議録
国際会議録
1. Low frequency noise sources in fully and partially depleted SOI MOSFETs from room to liquid helium temperatures
Jomaah, J ; Ghibaudo, G ; Balestra, F
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.248-254,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-3
2.

国際会議録
国際会議録
2. Temperature dependence of drain-induced barrier lowering in fully depleted SOI MOSFETs
Jomaah, J ; Ghibaudo, G ; Pelloie, J L ; Balestra, F
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.287-291,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-3
3.

国際会議録
国際会議録
3. Short Channel Effects and Subthreshold Operation in Single and Double Gate Deep Submicron SOT MOSFETs
Rauly, E ; Potavin, O ; Balestra, F ; Raynaud, C
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.266-271,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3
4.

国際会議録
国際会議録
4. Edge and Floating Body Effects on Hot-Carrier-Induced Degradation in FD SOT n-MOSFETs
Renn, S H ; Szelag, B ; Balestra, F ; Raynaud, C
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.276-281,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3