1.

国際会議録
国際会議録
1. EPR observation of a deep center with a pl electron configuration in GaAs
Kaufmann,U. ; Baeumler,M. ; Hendorfer,G.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.2  pp.959-964,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
2.

国際会議録
国際会議録
2. Determination of the FR3 Acceptor Level by Direct Excitation of the FR3 EPR in Undoped Semiinsulating GaAs
Baeumler,M. ; Mooney,P.M. ; Kaufmann,U.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part2  pp.785-790,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41
3.

国際会議録
国際会議録
3. Magnetic Circular Dichroism Investigation of the Neutral and the Ionized Manganese Acceptor in GaAs
Baeumler,M. ; Meyer,B.K. ; Kaufmann,U. ; Schneider,J.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part2  pp.797-802,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41