1.

国際会議録
国際会議録
1. Ge Enrichment Technique on SiGe/SOI Mesa Islands: a Localized GeOI Structures Fabrication Method
B. Vincent ; J.-F. Damlencourt ; Y. Morand ; D. Rouchon ; M. Mermoux
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 4 : new materials, processes and equipment.  pp.235-242,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 13(1)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Influence of Annealing Treatments on the Morphology and Electrical Properties of GeOI Substrates Obtained by Ge Condensation
J. Damlencourt ; Y. Campidelli ; T. Nguyen ; B. Vincent ; C. Le Royer ; Y. Morand ; S. Cristoloveanu ; L. Clavelier
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 3 : new materials, processes and equipment.  pp.65-72,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(1)
3.

国際会議録
国際会議録
3. 2. Microgels and core-shell particles
B. Vincent
出版情報: Surface chemistry in biomedical and environmental science.  pp.11-22,  2006.  Dordrecht.  Springer
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 228
4.

国際会議録
国際会議録
4. Review of Some Critical Aspects of Ge and GeOI Substrates
L. Clavelier ; C. Le Royer ; Y. Morand ; C. Deguet ; B. Vincent
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.789-805,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Epitaxial Regrowth of Ge on SGOI and GeOI Su,bstrates Obtained by Ge Condensation
J. Damlencourt ; Y. Campidelli ; M. Roure ; B. Vincent ; E. Martinez ; F. Fillot ; B. Arrazat ; T. Nguyen ; S. Cristoloveanu ; L. Clavelier ; Y. Morand
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.315-320,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)