1.

国際会議録
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1. Polysilicon Thin Film Transistors on Glass-Ceramic Substrates
Krasulya, S.M. ; Nemchuk, N.I. ; Ast, D.G. ; Couillard, J.G.
出版情報: Thin Film Transistor Technologies V : proceedings of the International Symposium.  pp.236-246,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-31
2.

国際会議録
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2. Nickel Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film Transistor by Rapid Thcrmal Anneal
Lam, L.K. ; Chen, S.-K. ; Ast, D.G.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.76-83,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-22
3.

国際会議録
国際会議録
3. Performance and Reliability of Poly-Si TFTs on Glass Substratesa
Couillard, J.G. ; Moore, C.B. ; Fehlner, F.P. ; Ast, D.G.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.355-359,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-22
4.

国際会議録
国際会議録
4. ION IRRADIATION INDUCED AMORPHOUS TO QUASICRYSTALLINE TRANSFORMATION: COMPOSITION DEPENDENCE IN THE AlMn SYSTEM
Lilienfeld, D.A. ; Nastasi, M. ; Johnson, H.H. ; Ast, D.G. ; Mayer, J.W.
出版情報: Beam-solid interactions and phase transformations : symposium held December 2-4, 1985, Boston, Massachusetts, USA.  pp.427-432,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 51
5.

国際会議録
国際会議録
5. CREEP DEFORMATION OF ULTRAFINE GRAINED Ni75B17Si8
Nussbaum, G. ; Ast, D.G.
出版情報: Rapidly solidified alloys and their mechanical and magnetic properties : symposium held December 2-4, 1985, Boston, Massachusetts, USA.  pp.421-424,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 58
6.

国際会議録
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6. Polysilicon TFT Hydrogenation Using a Backside Nitride Layer
Lam, L.K. ; Chen, D.L. ; Ast, D.G.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.185-190,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-22
7.

国際会議録
国際会議録
7. The electrical activity at twin boundaries in silicon
Cunningham, B. ; Strunk, H.P. ; Ast, D.G.
出版情報: Grain boundaries in semiconductors : proceedings of the Materials Research Society annual meeting, November 1981, Boston Park Plaza Hotel, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.51-56,  1982.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposia proceedings
シリーズ巻号: 5
8.

国際会議録
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8. CARBON PRECIPITATION IN CZ AND EFG SILICON
Feng, S.Q. ; Kalejs, J.P. ; Ast, D.G.
出版情報: Oxygen, carbon, hydrogen, and nitrogen in crystalline silicon : symposium held December 2-5, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.439-444,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 59
9.

国際会議録
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9. EBIC investigation of hydrogen passivated structural defects in EFG silicon ribbon
Sullivan, T.D. ; Ast, D.G.
出版情報: Defects in semiconductors : proceedings of the Materials Research Society Annual Meeting, November 1980, Copley Plaza Hotel, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.303-308,  1981.  New York.  North Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposia proceedings
シリーズ巻号: 2