1.

国際会議録
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1. INVITED: NATURE AND GENERATION OF GROWN-IN DEFECTS IN CZOCHRALSKI SILICON CRYSTALS
Hourai, M. ; Nishikawa, H. ; Tanaka, T. ; Umeno, S. ; Asayama, E. ; Nomachi, T. ; Kelly, G.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.453-467,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
2.

国際会議録
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2. RADIAL DISTRIBUTION OF THERMALLY-INDUCED DEFECTS IN HEAVILY BORON-DOPED SILICON WAFERS
Asayama, E. ; Ono, T. ; Takeshita, M. ; Hourai, M. ; Sano, M. ; Tsuya, H.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.546-556,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
3.

国際会議録
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3. EFFECT OF HEAVY BORON DOPING ON OXIDE PRECIPITATE GROWTH IN CZOCHRALSKI SILICON
Ono, T. ; Asayama, E. ; Horie, H. ; Hourai, M. ; Sueoka, K. ; Tsuya, H. ; Rozgonyi, G.A.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1113-1125,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
4.

国際会議録
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4. Oxygen Precipitation Behavior and its Optimum Condition for Internal Gettenng and Mechanical Strength in Epitaxial and Polished Silicon Wafers *
Sueoka, K. ; Akatsuka, M. ; Onno, T. ; Asayama, E. ; Koike, Y. ; Adachi, N. ; Sadamitsu, S. ; Katahama, H.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.164-179,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
5.

国際会議録
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5. Effect of Heavy Boron Doping on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Substrates of Epitaxial Wafers
Sucoka, K. ; Yonemura, M. ; Akatsuka, M. ; Katahama, H. ; Ono, T. ; Asayama, E.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.253-267,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
6.

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6. Defects Behavior on p/p+ Epitaxial Wafers During Low Temperature Device Processing
Hourai, M. ; Asayama, E. ; Onno, T. ; Sano, M. ; Tsuya, H.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.214-225,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13