1.

国際会議録
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1. Formation and evolution of the oxygen precipitates in CZ-Si upon high pressure- high temperature treatment
Antonova, I.V. ; Misiuk, A. ; Popov, V.P. ; Plotnikov, A.E. ; Surma, B.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.98-106,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
2.

国際会議録
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2. Traps at the Bonded Si/SiO2 Interface in Silicon-on-Insulator Structures
Antonova, I.V. ; Stano, J. ; Nikolaev, D.V. ; Naumova, O.V. ; Popov, V.P. ; Skuratov, V.A.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.64-69,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-19
3.

国際会議録
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3. Modification of Si/SiO2 interface in SOI structures by hydrogen implantation: radiation tolerance
Antonova, I.V.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.137-142,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
4.

国際会議録
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4. Low dimension properties of nanostructures on ultra thin layers of silicon formed by oxidation of ion cut SOI wafers and electron lithography
Popov, V.P. ; Aseev, A.L. ; Antonova, I.V. ; Nastaushev, Yu.V. ; Gavrilova, T.A. ; Naumova, O.V. ; Franzusov, A.A. ; Feafanov, G.N. ; Kolosanov, V.A.
出版情報: Progress in SOI structures and devices operating at extreme conditions.  pp.87-92,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 58
5.

国際会議録
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5. Effect of Annealing at Argon Pressures up to 1.2 Gpa on Hydrogen-Plasma Etched and Hydrogen Implanted Single-Crystalline Silicon
Misiuk, A. ; Misiuk, J.B.K. ; Barcz, A. ; Romano-Rodriguez, A. ; Antonova, I.V. ; Popov, V.P. ; Londos, C.A. ; Jun, J.
出版情報: Hydrogen materials science and chemistry of metal hydrides.  pp.441-446,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 71
6.

国際会議録
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6. Electrical characteristics of SOI-like structures formed in nitrogen or oxygen implanted silicon treated under high pressure
Antonova, I.V. ; Misiuk, A. ; Londos, C.A.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.325-330,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
7.

国際会議録
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7. Changes In the parameters of silicon-on-insulator structures under irradiation
Antonova, I.V. ; Nikolaev, D.V. ; Nauniova, O.V. ; Smagulova, S.A. ; Popov, V.P.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.505-510,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
8.

国際会議録
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8. Radiation effects in SOI: Irradiation by high energy ions and electrons
Antonova, I.V. ; Stano, J. ; Naumova, O.V. ; Skuratov, V.A. ; Popov, V.P.
出版情報: Science and technology of semiconductor-on-insulator structures and devices operating in a harsh environment.  pp.215-220,  2005.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 185
9.

国際会議録
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9. FET on ultrathin SOI (fabrication and research)
Naumova, O.V. ; Antonova, I.V. ; Popov, V.P. ; Nastaushev, Y.V. ; Gavrilova, T.A. ; Kachanova, M.M. ; Litvin, L.V. ; Aseev, A.L.
出版情報: Micro- and Nanoelectronics 2003.  pp.323-331,  2004.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5401