1.

国際会議録
国際会議録
1. LASER DEPOSITED EPITAXIAL OXIDE HETEROSTRUCTURES AS PROTOTYPE FERROELECTRIC OPTICAL WAVEGUIDES
Fork, D.K. ; Anderson, G.B.
出版情報: Laser ablation in materials processing : fundamentals and applications : symposium held December 1-4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.355-360,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 285
2.

国際会議録
国際会議録
2. LASER DEHYDROGENATION OF PECVD AMORPHOUS SILICON
Mei, P. ; Boyce, J.B. ; Hack, M. ; Lujan, R.A. ; Johnson, R.I. ; Anderson, G.B. ; Fork, D.K. ; Ready, S.E. ; Smith, D.L.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1993 : Symposium held April 13-16, San Francisco, California, U.S.A..  pp.151-158,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 297
3.

国際会議録
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3. CRITICAL LASER FLUENCE OBSERVED IN (111) TEXTURE, GRAIN SIZE AND MOBILITY OF LASER CRYSTALLIZED AMORPHOUS SILICON
Johnson, R.I. ; Anderson, G.B. ; Boyce, J.B. ; Fork, D.K. ; Mei, P. ; Ready, S.E. ; Chen, S.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1993 : Symposium held April 13-16, San Francisco, California, U.S.A..  pp.533-538,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 297
4.

国際会議録
国際会議録
4. TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE HALL MOBILITY IN POLYCRYSTALLINE SILICON
Ready, S.E. ; Boyce, J.B. ; Fork, D.K. ; Mei, P. ; Anderson, G.B. ; Johnson, R.I.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1993 : Symposium held April 13-16, San Francisco, California, U.S.A..  pp.545-552,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 297
5.

国際会議録
国際会議録
5. Laser Doping for Self-aligned Amorphous Silicon Thin Film Transistors
Mei, P. ; Anderson, G.B. ; Boyce, J.B. ; Fork, D.K. ; Lujan, R.
出版情報: Proceedings of the Third Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.51-58,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-23
6.

国際会議録
国際会議録
6. LATTICE MISMATCH EFFECTS IN GaAs EPITAXY ON Si AND GaP
Gerthsen, D. ; Ponce, F.A. ; Anderson, G.B. ; Chung, H.F.
出版情報: Interfacial structure, properties, and design : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.21-26,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 122
7.

国際会議録
国際会議録
7. EXCIMER LASER INDUCED CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON NEAR THRESHOLD
Bachrach, R.Z. ; Winer, K. ; Boyce, J.B. ; Ponce, F.A. ; Ready, S.E. ; Johnson, R. ; Anderson, G.B.
出版情報: Beam-solid interactions : physical phenomena : symposium held November 27-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.467-472,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 157
8.

国際会議録
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8. FAST-PULSE EXCIMER-LASER-INDUCED PROCESSS IN a-Si:H
Winer, K. ; Bachrach, R.Z. ; Johnson, R.I. ; Ready, S.E. ; Anderson, G.B. ; Boyce, J.B.
出版情報: Materials issues in microcrystalline semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.183-188,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 164
9.

国際会議録
国際会議録
9. EXCIMER LASER CRYSTALLIZED AMORPHOUS SILICON FILMS: EFFECTS OF SHOT DENSITY AND SUBSTRATE TEMPERATURE
Johnson, R.I. ; Anderson, G.B. ; Ready, S.E. ; Boyce, J.B.
出版情報: Amorphous silicon technology 1991 : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.407-412,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 219
10.

国際会議録
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10. CRYSTALLIZATION KINETICS OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DURING PULSED EXCIMER LASER ANNEALING
Ready, SE. ; Roh, J.H. ; Boyce, J.B. ; Anderson, G.B.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.111-116,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258