1.

国際会議録
国際会議録
1. Hole Mobility in Si(110) p-MOS Transistors
P. Gaubert ; A. Teramoto ; T. Ohmi
出版情報: Solid State (General) - 214th ECS Meeting/PRiME 2008.  pp.7-12,  2009.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(40)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node
W. Cheng ; A. Teramoto ; T. Ohmi
出版情報: ULSI process integration 5.  pp.349-355,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(6)
3.

国際会議録
国際会議録
3. THE EFFECT OF OXYGEN CONCENTRATION IN CLEANING PROCESS ON SILICON SURFACE
N. Mizutani ; H. Morinaga ; A. Teramoto ; T. Ohmi
出版情報: Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing IX.  pp.75-81,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(3)
4.

国際会議録
国際会議録
4. SUPRESSION OF SURFACE MICRO-ROUGHNESS OF SILICON WAFER BY ADDITION OF ALCOHOL INTO ULTRA PURE WATER FOR RINSING PROCESS
M. Yamamoto ; K. Nii ; H. Morinaga ; A. Teramoto ; T. Ohmi
出版情報: Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing IX.  pp.51-58,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(3)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Fabrication of Titanium / Biodegradable-Polymer FGM for Medical Application
Y. Watanabe ; Y. Iwasa ; H. Sato ; A. Teramoto ; K. Abe
出版情報: Multiscale, multifunctional and functionally graded materials : selected, peer reviewed papers from the 10th International Symposium on MM & FGMs, 22nd-25th September 2008, Sendai, Japan.  pp.199-204,  2010.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 631-632
6.

国際会議録
国際会議録
6. New NBTI Lifetime Prediction Method for Ultra Thin SiO₂ Film
K. Watanabe ; R. Kuroda ; A. Teramoto ; S. Sugawa ; T. Ohmi
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.147-160,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
7.

国際会議録
国際会議録
7. High-Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Si₃N₄/Si Interface Structures and Its Correlation with Hysteresis in C(V) Curves
M. Higuchi ; A. Teramoto ; M. Komura ; S. Shinagawa ; E. Ikenaga ; H. Nohira ; K. Kobayashi ; T. Hattori ; S. Sugawa ; T. Ohmi
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.267-276,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface
W. Cheng ; A. Teramoto ; C. Tye ; P. Gaubert ; M. Hirayama ; S. Sugawa ; T. Ohmi
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.101-106,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage
R. Kuroda ; A. Teramoto ; W. Cheng ; S. Sugawa ; T. Ohmi
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.113-120,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
10.

国際会議録
国際会議録
10. High Reliability of Ultraclean Oxide Films
M. Morita ; K. Nakamura ; A. Teramoto ; K. Makihara ; T. Ohmi
出版情報: Proceedings of the Symposia on Interconnects, Contact Metallization, and Multilevel Metallization and Reliability for Semiconductor Devices, Interconnects, amd Thin Insulator Materials.  pp.451-460,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-25