1.

国際会議録
国際会議録
1. Reliability and Stability Issues for Lanthanum Silicate as a High-K Dielectric
D. Lichtenwalner ; J. S. Jur, ; S. Novak ; V. Misra ; A. I. Kingon
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.245-252,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Towards the Fabrication of Ultra-Thin SOI on Si (001) using Epitaxial Oxide and Epitaxial Semiconductor Growth Processes
D. Lichtenwalner ; J. M. Hydrick ; V. Vankova ; V. Misra ; J. Maria ; A. I. Kingon
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.449-462,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Materials and Processes for High k Gate Stacks: Results from the FEP Tzansition Center
C. Osburn ; S. Campbell ; A. Demkov ; E. Eisenbraun ; E. Garfunkel ; F. Gustafsson ; A. I. Kingon ; J. Lee ; D. Lichtenwalner ; G. Lucovsky ; T. Ma ; J. Maria ; V. Misra ; R. Nemanich ; G. Parsons ; D. Schlom ; S. Stemmer ; R. M. Wallace ; J. Whitten
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.389-416,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)