1.

国際会議録
国際会議録
1. 3-D Regional Transit Time Analysis of SiGe HBTs on Thin-Film SOI
M. Bellini ; J. Cressler ; M. Turowski ; G. Avenier ; A. Chantre
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.1079-1088,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Prospects for Complementary SiGeC BiCMOS on Thin-Film SOI
A. Chantre ; G. Avenier ; L. Boissonnet ; G. Borot ; P. Bouillon
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.355-363,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)