1.

国際会議録
国際会議録
1. Role of Bulk HfO2 and Interfacial SiO2 Layer in Breakdown Characteristics of TiN/HfO2/SiO2/Si Gate Stacks
N. Rahim ; N. Chowdhury ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.629-638,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Modeling and Simulation of Drain Current 1/f Noise in High-κ Based n-MOSFETs
P. Srinivasan ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.645-655,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Electrical Characterization of Metal Gate/High-κ Dielectrics on GaAs Substrate
V. Budhraja ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 6.  pp.455-461,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(5)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Breakdown Characteristics of High-k Gate Dielectrics with Metal Gates
D. Misra ; N. Chowdhury ; G. Bersuker ; C. Young ; R. Choi
出版情報: ULSI process integration 5.  pp.143-160,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(6)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Evidence of Deep Energy States from Low Temperature Measurements and Its Role in Charge Trapping in Metal Gate/Hf-Silicate Gate Stacks
N. A. Chowdhury ; P. Srinivasan ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.767-776,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Effect of Nitridatien on 1/f Noise in n-MOSFETs with High-k Dielectric
P. Srinivasan ; E. Simoen ; L. Pantisano ; C. L. Claeys ; D. Misra ; C. Rittersma
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.681-692,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Annealing Effect on Reliability of Si0₂ for Deuterium-Implanted Silicon
T. Kundu ; D. Misra
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.221-232,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Field Dependent Carrier Transport Mechanisms in Metal-insulator-metal Devices with Ba0.8Sr0.2TiO3/ZrO2 Heterostructured Thin Films as the Dielectric
Santosh K. Sahoo ; H. Bakhru ; Sumit Kumar ; D. Misra ; Colin A. Wolden
出版情報: Solution synthesis of inorganic functional materials - films, nanoparticles and nanocomposites : symposium held April 1-5, 2013, San Francisco, California U.S.A..  pp.53-60,  2013.  Warrendale, Pa.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1547
9.

国際会議録
国際会議録
9. Relaxor Behavior in Ba0.8Sr0.2TiO3/ZrO2 Heterostructured Thin Films
Santosh K. Sahoo ; H. Bakhru ; Sumit Kumar ; D. Misra ; Y.N. Mohapatra ; D.C. Agrawal
出版情報: Nanocomposites, nanostructures and heterostructures of correlated oxide systems : symposium held April 9-13, 2012, San Francisco, California, U.S.A..  pp.89-96,  2012.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1454
10.

国際会議録
国際会議録
10. Breakdown Characteristics of High-k Gate Dielectrics with Metal Gates
N. Rahim ; D. Misra
出版情報: Dielectrics for nanosystems 3: materials science, processing, reliability, and manufacturing.  pp.91-97,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 13(2)