1.

国際会議録
国際会議録
1. THE STRUCTURE OF a-Si:H, F/a-Si,Ge:H, F INTERFACES
Conde, J.P. ; Shen, D.-S. ; Campbell, I.H. ; Fauchet, P.M. ; Wagner, S.
出版情報: Interfaces, superlattices, and thin films : symposium held December 1-6, 1986, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.629-634,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 77
2.

国際会議録
国際会議録
2. SURFACE CONDITION IN THE PLASMA-CVD OF a-Si:H,F FROM SiF4 AND H2
Maruyama, A. ; Shen, D.S. ; Chu, V. ; Liu, J.Z. ; Jaroker, J. ; Campbell, I. ; Fauchet, P.M. ; Wagner, S.
出版情報: Chemical perspectives of microelectronic materials : symposium held November 30-December 2, 1988, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.203-208,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 131
3.

国際会議録
国際会議録
3. MICROCRYSTALLINITY IN a-Si,Ge:H,F ALLOYS
Shen, D.S. ; Kokodzey, J. ; Slobodin, D. ; Conde, J.P. ; Lane, C. ; Campbell, I.H. ; Fauchet, P.M. ; Wagner, S.
出版情報: Materials issues in amorphous-semiconductor technology : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.301-306,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 70