1.

国際会議録
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1. Doping Of Oxidized Float Zone Silicon By Thermal Donors - A Low Thermal Budget Doping Method For Device Applications?
Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Huang, Y.L. ; Fahrner, W.R. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Niedernostheide, F.-J. ; Schulze, H.-J. ; Tonelli, G.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors and devices III : symposium held April 1-5, 2002, San Francisco, California, U.S.A..  pp.257-262,  2002.  Warrendale, Pa.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 719
2.

国際会議録
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2. Irradiation-induced Deep Levels in Silicon（Invited Paper）
Siemieniec, R. ; Niedermostheide, F.-J. ; Schulze, H.-J. ; Sudkamp, W. ; Kellner-Werdehausen, U. ; Lutz, J.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.369-384,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
3.

国際会議録
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3. Influence of Irradiation-Induced Defects on the Electrical Performance of Power Devices*
Schulze, H.-J. ; Niedemostheide, F.-J. ; Schmitt, M. ; Keilner-Werdehausen, U. ; Wachutka, G.
出版情報: High purity silicon VII : proceedings of the international symposium.  pp.320-335,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-20
4.

国際会議録
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4. Radiation-induced defects utilized for performance tailoring in high-power devices
Niedernostheide, F.-J. ; Schulze, H.-J. ; Kellner-Werdehausen, U. ; Frohnmeyer, A. ; Wachutka, G.
出版情報: Crystalline defects and contamination: their impact and control in device manufacturing III : DECON 2001 : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 2001, Nuremberg, Germany.  pp.112-120,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-29