1.

国際会議録
国際会議録
1. Pressure Dependence of Schottky Barrier Height at Pt/GaAs Interface
Shan,W. ; Li,M.F. ; Yu,P.Y. ; Walukiewicz,W. ; Hansen,W.L.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part3  pp.1427-1432,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41
2.

国際会議録
国際会議録
2. Reduction of Capture Barrier Height of Pressure-Induced Deep Donors(DX Center)in GaAs:Si
Li,M.F. ; Yu,P.Y. ; Shan,W. ; Hansen,W.L. ; Weber,E.R.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part2  pp.851-856,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41
3.

国際会議録
国際会議録
3. Pressure Dependence of the DX Center in Al0.35Ga0.65As:Te
Li,M.F. ; Shan,W. ; Yu,P.Y. ; Hansen,W.L. ; Weber,E.R. ; Bauser,E.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part3  pp.1103-1108,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41