1.

国際会議録
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1. Effects of Ethanolamines on CdX (X = S, Se) Photoelectrochemistry
Minoura, H. ; Hibi, N. ; Sugieura, T. ; Yoshida, T. ; Kobayashi, H.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Photoelectrochemistry.  pp.199-208,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-20
2.

国際会議録
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2. Process Integration Trends for Embedded DRAM
Takato, H. ; Koike, H. ; Yoshida, T. ; Ishiuchi, H.
出版情報: ULSI process integration : proceedings of the first international symposium.  pp.107-122,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-18
3.

国際会議録
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3. La0.5Sr0.5MnO3-YSZ composite film electrodes prepared by metal-organic decomposition for SOFC
Hayashi, K. ; Yoshida, T. ; Hosakawa, M. ; Ohya, Y. ; Takahashi, Y. ; Yamamoto, O. ; Minoura, Hideki
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Ionic and Mixed Conducting Ceramics.  pp.700-707,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-24
4.

国際会議録
国際会議録
4. Chemical Bath Deposition of Band-Gap Tailored Indium Sulfide Thin Films
Yoshida, T. ; Yamaguchi, K. ; Toyoda, H. ; Akao, K. ; Sugiura, T. ; Minoura, H.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Photoelectrochemistry.  pp.37-57,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-20
5.

国際会議録
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5. AN ULTRASENSITIVE METHOD TO REVEAL DEFECTS THAT DEGRADE THE LOCALIZED RECOMBINATION LIFETIME OF THE NEAR SURFACE REGION OF BULK Si AND THIN EPILAYERS
Higgs, V. ; Chin, F. ; Wang, X. ; Kitagawara, Y. ; Yoshida, T.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1564-1575,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
6.

国際会議録
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6. In-situ B Doping of Sii-xGex Film Epitaxially Grown on Si Using Ultraclean LPCVD
Honma, F. ; Murota, J. ; Yoshida, T. ; Goto, K. ; Maeda, T. ; Aizawa, K. ; Sawada, Y.
出版情報: Proceedings of the Twelfth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.171-177,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-2
7.

国際会議録
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7. The Performance and Reliability of 20cm Square Planar SOFC
Someya, Y. ; Koide, H. ; Ando, M. ; Yoshida, T.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells (SOFC-IV).  pp.86-93,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-1
8.

国際会議録
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8. STRUCTURE OF THE Ti-SINGLE CRYSTAL Si INTERFACE
Ogawa, S. ; Kouzaki, T. ; Yoshida, T. ; Sinclair, R.
出版情報: Advanced metallizations in microelectronics : symposium held April 16-20, 1990, San Francisco, California, U.S.A..  pp.139-144,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 181
9.

国際会議録
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9. Bulk Lifetime Decreasing Phenomena Induced by Light-Illumination in High-Purity P-Type Cz-Si Crystals
Yoshida, T. ; Kitagawara, Y.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.450-454,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
10.

国際会議録
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10. Capability of Reliable Bulk Lifetime Evaluation in High-Purity Si by a Photoconductive Decay Measurement with a Chemical Passivation Technique
Yoshida, T. ; Kitagawara, Y.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.455-461,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13