1.

国際会議録
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1. SURFACE FACETING OF (110) GaAs: ANALYSIS AND ELIMINATION
Parechianian-Allen, L. ; Weber, E. R. ; Washburn, J. ; Pao, Y. C.
出版情報: Characterization of defects in materials : symposium held December 1-2, 1986, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.487-492,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 82
2.

国際会議録
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2. TRANSITION METAL CONTAMINATION OF EPITAXIAL SILICON
Scott, M. P. ; Caubin, L. ; Chen, D. C. ; Weber, E. R. ; Rose, J. ; Tucker, T.
出版情報: Impurity diffusion and gettering in silicon : symposium held November 27-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.37-42,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 36
3.

国際会議録
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3. DIFFUSION, COMPLEXING AND PRECIPITATION OF TRANSITION METALS IN SILICON
Weber, E. R.
出版情報: Impurity diffusion and gettering in silicon : symposium held November 27-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.3-12,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 36
4.

国際会議録
国際会議録
4. GROWTH OF (110) GaAs/GaAs BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
Parechanian, L. T. ; Weber, E. R. ; Hierl, T. L.
出版情報: Microscopic identification of electronic defects in semiconductors : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.391-396,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 46
5.

国際会議録
国際会議録
5. THE FORMATION OF AMORPHOUS SILICON BY LIGHT ION DAMAGE
Shih, Y. ; Washburn, J. ; Weber, E. R. ; Gronsky, R.
出版情報: Ion beam processes in advanced electronic materials and device technology : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.65-70,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 45
6.

国際会議録
国際会議録
6. *THE IDENTIFICATION OF LATTICE DEFECTS IN GaAs AND A1GaAs
Weber, E. R.
出版情報: Microscopic identification of electronic defects in semiconductors : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.169-178,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 46
7.

国際会議録
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7. THE INFLUENCE OF CURRENT STRESSING ON THE STRUCTURE OF Ag CONTACTS TO GaAs
Liliental-Weber, Z. ; Miret-Goutier, A. ; Newman, N. ; Jou, C. ; Spicer, W. E. ; Washburn, J. ; Weber, E. R.
出版情報: Epitaxy of semiconductor layered structures : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.241-244,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 102
8.

国際会議録
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8. LATTICE RELAXATION OF THE DX CENTERS IN Ga1-XAlXAs AND OF THE PRESSURE-INDUCED DEEP DONORS IN GaAs
Li, M. F. ; Shan, W. ; Yu, P. Y. ; Hansen, W. L. ; Weber, E. R. ; Bauser, E.
出版情報: Defects in electronic materials : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.573-578,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 104
9.

国際会議録
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9. CHANGES IN MICROWAVE ABSORBTION OF NEW HIGH TC SUPERCONDUCTORS WITH SMALL MAGNETIC FIELDS
Khachaturan, K. ; Weber, E. R. ; Trejedor, P. ; Stacy, A. ; Portis, A.
出版情報: High-temperature superconductors : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.383-386,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 99
10.

国際会議録
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10. QUANTITATIVE STUDY OF METAL GETTERING IN SILICON
Colas, E.G. ; Weber, E. R. ; Hahn, S.
出版情報: Oxygen, carbon, hydrogen, and nitrogen in crystalline silicon : symposium held December 2-5, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.341-346,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 59